AO "Svetlana-Rost" wurde 2004 gegründet und hat sich auf Elektronik und Instrumentenbau spezialisiert. Nachdem die Entwicklung der Produktionstechnologie abgeschlossen war und die Bedingungen für die Herstellung von MESFET-Epitaxiestrukturen für GaAs im Jahr 2006 genehmigt wurden, erhielt das Unternehmen vom Föderalen Sicherheitsdienst (FSB) eine Lizenz für die Herstellung von Arbeiten, die mit den Staatsgeheimnissen zusammenhängende Informationen verwenden.

In den Jahren 2009-2010 wurden die Spezifikationen für die Herstellung von GaAs-Epitaxiestrukturen vom Typ pHEMT und AlGaN-Epitaxiestrukturen vom Typ DHFET entwickelt und genehmigt.

Die Firma bietet Dienstleistungen zur Wafer-Dünnung, Herstellung von ohmschen Kontakten für epitaktische Strukturen, Trennung von Saphirsubstraten in Kristalle, Metallisierungsprozess, Wärmebehandlung von Halbleiterwafern, Photolithographie, plasmachemisches Ätzen von Filmen.

Die Gießerei entwickelt und produziert Wafer mit individuellen Bestellungen von Elementen für analoge ECB, für Photodetektoren und Kontrollmikrowellen.