"POWER SEMICONDUCTORS" wurde 2012 gegründet. Das Unternehmen hat es sich zur Aufgabe gemacht, eine komplette Familie von bipolaren Leistungs-GaAs-Bauelementen zu entwickeln, die auf der Technologie des Labors für optoelektronische Phänomene in Heterostrukturen und Leistungshalbleiterbauelementen des Ioffe Phthysics Institute basieren. Die GaAs-Technologie ist viel komplexer als die Siliziumtechnologie, aber GaAs ist viel besser für die Herstellung von Halbleitern geeignet, weil es viel bessere Eigenschaften hat und sich perfekt für die Herstellung von LED-Lampen eignet.

Unter den Spezialisten des Unternehmens gibt es ehemalige Mitarbeiter von FTI, die ihre Entwicklungen auf dem Gebiet der Technologien des Wachstums von Cadmium-Quecksilber-Tellur-Epitaxie-Schichten durch die Flüssigphasen-Epitaxie-Methode für die Anwendung in der Leistungselektronik und die Umsetzung der Ergebnisse dieser wissenschaftlichen Entwicklungen in der Produktion von bioelektrischen und medizinischen Geräten nutzen.

Eine breite kommerzielle Nutzung dieser Methode ist möglich bei der Entwicklung von Halbleitermaterialien für Nachtbeobachtungsgeräte, bei der Herstellung von Epitaxiestrukturen im Nanomaßstab, bei der Anwendung der Technologie zur Herstellung von Epitaxieschichten für die Basisflächen von Hochspannungstransistoren.

Um Heterostrukturen mit einer festgelegten Dicke und einem festgelegten Legierungsprofil zu erhalten, ist eine epitaktische Vergrößerung in einer Hochvakuumapparatur notwendig.

Die Entwicklung solcher Apparate zielt auf die Schaffung von "POWER PLANT" ab.