"SEMICONDUCTORES DE POTENCIA" fue fundada en 2012. La empresa se ha propuesto desarrollar una familia completa de dispositivos bipolares de GaAs de potencia basados en la tecnología del laboratorio de fenómenos optoelectrónicos en heteroestructuras y dispositivos de semiconductores de potencia del Instituto de Física Ioffe. La tecnología de GaAs es mucho más compleja que la de silicio, pero el GaAs es mucho más adecuado para obtener semiconductores porque tiene características mucho mejores y es perfectamente adecuado para su uso en la producción de lámparas LED.

Entre los especialistas de la empresa hay antiguos empleados de la FTI que utilizan sus desarrollos en el campo de las tecnologías de crecimiento de las capas epitaxiales de cadmio-mercurio-telurio por el método de epitaxia en fase líquida para su aplicación en la electrónica de potencia y la aplicación de los resultados de estos desarrollos científicos en la producción de dispositivos bioeléctricos y médicos.

El amplio uso comercial de este método es posible en el desarrollo de materiales semiconductores para dispositivos de observación nocturna, en la producción de estructuras epitaxiales a nanoescala, en el uso de la tecnología para obtener capas epitaxiales para las áreas base de los transistores de alta tensión.

Para obtener heteroestructuras de un grosor establecido con un perfil de aleación establecido, es necesario un aumento epitaxial en un aparato de alto vacío.

El desarrollo de tales aparatos tiene como objetivo crear "POWER PLANT".