"POWER SEMICONDUCTORS" è stata fondata nel 2012. L'azienda si è posta il compito di sviluppare una famiglia completa di dispositivi bipolari di potenza GaAs basati sulla tecnologia del laboratorio di fenomeni optoelettronici in eterostrutture e dispositivi a semiconduttori di potenza dell'Istituto di Fisica di Ioffe. La tecnologia del GaAs è molto più complessa di quella del silicio, ma il GaAs è molto più adatto per ottenere semiconduttori perché ha caratteristiche molto migliori ed è perfettamente adatto per l'uso nella produzione di lampade a LED.

Tra gli specialisti dell'azienda ci sono ex dipendenti della FTI che utilizzano i loro sviluppi nel campo delle tecnologie di crescita degli strati epitassiali di cadmio-mercurio-tellurum con il metodo dell'epitassia in fase liquida per l'applicazione nell'elettronica di potenza e l'implementazione dei risultati di questi sviluppi scientifici nella produzione di dispositivi bioelettrici e medici.

Un ampio uso commerciale di questo metodo è possibile nello sviluppo di materiali semiconduttori per dispositivi di osservazione notturna, nella produzione di strutture epitassiali su scala nanometrica, nell'uso della tecnologia per l'ottenimento di strati epitassiali per le aree di base dei transistor ad alta tensione.

Per ottenere eterostrutture di spessore stabilito con un profilo di lega stabilito, è necessario l'ingrandimento epitassiale in un apparato ad alto vuoto.

Lo sviluppo di tali apparati è finalizzato alla creazione di "POWER PLANT".