"POWER SEMICONDUCTORS" werd opgericht in 2012. Het bedrijf heeft zich tot taak gesteld om een complete familie van bipolaire power GaAs apparaten te ontwikkelen op basis van de technologie van het laboratorium van opto-elektronische fenomenen in heterostructuren en power halfgeleiderapparaten van het Ioffe Phthysics Institute. De GaAs-technologie is veel complexer dan de siliciumtechnologie, maar GaA's is veel geschikter voor het verkrijgen van halfgeleiders omdat het veel betere eigenschappen heeft en perfect geschikt is voor gebruik bij de productie van LED-lampen.

Onder de specialisten van het bedrijf zijn er voormalige werknemers van FTI die gebruik maken van hun ontwikkelingen op het gebied van technologieën van cadmium-kwik-tellurum epitaxiale lagen groei door middel van vloeibare-fase epitaxiemethode voor toepassing in vermogenselektronica en de implementatie van de resultaten van deze wetenschappelijke ontwikkelingen in de productie van bio-elektrische en medische apparatuur.

Breed commercieel gebruik van deze methode is mogelijk bij de ontwikkeling van halfgeleidermaterialen voor nachtwaarnemingsapparaten, bij de productie van epitaxiale structuren op nanoschaal, bij het gebruik van technologie voor het verkrijgen van epitaxiale lagen voor de basisgebieden van hoogspanningstransistoren.

Om heterostructuren van een vastgestelde dikte met een vastgesteld legeringsprofiel te verkrijgen, is epitaxiale vergroting in een hoogvacuüm apparaat nodig.

De ontwikkeling van dergelijke apparaten is gericht op het creëren van "POWER PLANT".