Firma "POWER SEMICONDUCTORS" została założona w 2012 roku. Firma postawiła sobie za zadanie opracowanie kompletnej rodziny bipolarnych urządzeń energetycznych GaAs w oparciu o technologię laboratorium zjawisk optoelektronicznych w heterostrukturach i półprzewodnikowych urządzeniach energetycznych Instytutu Fizyki Ioffe. Technologia GaAs jest znacznie bardziej złożona niż technologia krzemowa, ale GaAs jest o wiele bardziej odpowiednia do uzyskiwania półprzewodników, ponieważ posiada znacznie lepsze właściwości i doskonale nadaje się do stosowania w produkcji lamp LED.

Wśród specjalistów firmy są byli pracownicy FTI, którzy wykorzystują swoje osiągnięcia w dziedzinie technologii wzrostu warstw epitaksjalnych kadmowo-rtęciowo-tellurum metodą epitaksji fazy ciekłej do zastosowań w energoelektronice i wdrażania wyników tych osiągnięć naukowych w produkcji urządzeń bioelektrycznych i medycznych.

Szerokie komercyjne zastosowanie tej metody jest możliwe w rozwoju materiałów półprzewodnikowych dla urządzeń do nocnej obserwacji, w produkcji nanoskalowych struktur epitaksjalnych, w zastosowaniu technologii otrzymywania warstw epitaksjalnych dla obszarów bazowych tranzystorów wysokiego napięcia.

W celu uzyskania heterostruktur o ustalonej grubości o ustalonym profilu stopowym, konieczne jest powiększenie epitaksjalne w aparacie wysokopróżniowym.

Rozwój takich aparatów ma na celu stworzenie "ZASOBY MOCNEJ".