A "POWER SEMICONDUCTORS" foi fundada em 2012. A empresa se propôs a desenvolver uma família completa de dispositivos GaAs bipolares de potência baseados na tecnologia do laboratório de fenômenos optoeletrônicos em heteroestruturas e dispositivos semicondutores de potência do Instituto Ioffe Phthysics. A tecnologia GaAs é muito mais complexa do que a tecnologia de silício, mas os GaAs são muito mais adequados para a obtenção de semicondutores porque têm características muito melhores e são perfeitamente adequados para a utilização na produção de lâmpadas LED.

Entre os especialistas da empresa encontram-se antigos funcionários do FTI que utilizam os seus desenvolvimentos na área das tecnologias de crescimento de camadas epitaxiais de cádmio-mercúrio e telúrio pelo método de epitaxia em fase líquida para aplicação em electrónica de potência e implementação dos resultados destes desenvolvimentos científicos na produção de dispositivos bioeléctricos e médicos.

O amplo uso comercial deste método é possível no desenvolvimento de materiais semicondutores para dispositivos de observação noturna, na produção de estruturas epitaxiais em nanoescala, no uso de tecnologia para obtenção de camadas epitaxiais para as áreas de base de transistores de alta tensão.

A fim de obter heteroestruturas de espessura estabelecida com um perfil de liga estabelecido, é necessária a ampliação epitaxial em um aparelho de alto vácuo.

O desenvolvimento de tais aparelhos visa a criação da "POWER PLANT".