Основанная в 2004 году компания АО «Светлана-Рост» специализируется в электронике и приборостроении. После завершения разработки технологии производства и утверждения техусловий для производства эпитаксиальных структур GaAs типа MESFET в 2006 году была получена лицензия ФСБ на производство работ с использований сведений, относящихся к гостайне.

В 2009-2010 годах были разработаны и утвержденв техусловия для производства эпитаксиальных структур GaAs типа pHEMT и эпитаксиальных структур AlGaN типа DHFET.

Компания предоставляет услуги по утонению пластин, созданию омических контактов к эпитаксиальным структурам, разделению сапфировых подложек на кристаллы, процессу металлизации, термической обработке полупроводниковых пластин, фотолитографии, плазмохимическому травлению пленок.

Предприятие фаундри разрабатывает и изготавливает по отработанным протоколам пластины с индивидуальными заказами элементов для аналаговой ЭКБ, для фотоприемников и управляющей СВЧ.