ООО «СИЛОВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ» была основана в 2012 году. Компания поставила перед собой задачу по разработке полного семейства биполярных силовых GaAs приборов по технологии лаборатории оптоэлектронных фвлений в гетероструктурах и силовых полупроводниковых приборов ФТИ им. Иоффе. Технология GaAs значительно сложнее, чем технология получения кремния, но при этом GaAs гораздо более пригоден для полученя полупроводников, потому что обладает значительно лучшими характеристиками и прекрасно подходит для использования при производстве светодиодных ламп.

Среди специалистов компании находятся бывшие сотрудники ФТИ, которые используют свои разработки в области технологий выращивания эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур методом жидкофазной эпитаксии для применения в силовой электроники и внедрения результатов этих научных разработок в производство биоэлектрических и медицинских приборов.

Широкое коммерческое использование этого метода возможно при разработке полупроводниковых материалов для приборов ночного наблюдения, при получении наноразмерных эпитаксиальных структур, при использовании технологии получения эпитаксиальных слоев для базовых областей высоковольтных транзисторов.

Для получения гетероструктур установленной толщины, имеющих установленный профиль легирования необходимо эпитаксиальное увеличение в аппарате с высоким вакуумом.

Разработка таких аппаратов и является целью создания ООО «СИЛОВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ» .