Исследователи РТУ (Российского технологического университета – прим. редакции) в Москве провели исследования прямых и обратных магнитоэлектрических эффектов. По утверждению учёных, это должно позволить развить разработки датчиков магнитного поля и энергоэффективных устройств памяти. Об этом пишет портал Национальныепроекты.РФ со ссылкой на сообщение университета.

«Сотрудники из лаборатории физики для нейроморфных вычислительных систем РТУ «Московский институт радиотехники, электроники и автоматики» исследовали магнитоэлектрические эффекты в гетероструктурах», — сказано в сообщении.

По уточнению авторов портала, полученные выводы позволят существенно усовершенствовать методы разработки и проектирования датчиков магнитного поля. Обычно они используются в современной электронике и различных технических областях для контроля движения, скорости, положения, направления тока и других параметров. Также исследования должны помочь в развитии способов разработки энергоэффективных устройств памяти, которые позволяют сохранять данные при отсутствии питания.

Работы проводят при поддержке нацпроекта «Наука и университеты»

Другие интересные новости читайте в нашем Telegram-канале

Автор: Дмитрий Сорока

Сделано в России // Made in Russia

#сделановроссии