La société "POWER SEMICONDUCTORS" a été fondée en 2012. La société s'est donné pour mission de développer une famille complète de dispositifs bipolaires de puissance en GaAs, basée sur la technologie du laboratoire des phénomènes optoélectroniques dans les hétérostructures et les dispositifs à semi-conducteurs de puissance de l'Institut de physique Ioffe. La technologie du GaAs est beaucoup plus complexe que celle du silicium, mais le GaAs est beaucoup plus adapté à l'obtention de semi-conducteurs car il présente des caractéristiques bien meilleures et convient parfaitement à la production de lampes LED.

Parmi les spécialistes de la société, il y a d'anciens employés de FTI qui utilisent leurs développements dans le domaine des technologies de croissance de couches épitaxiales de cadmium-mercury-tellurum par méthode d'épitaxie en phase liquide pour une application dans l'électronique de puissance et la mise en œuvre des résultats de ces développements scientifiques dans la production de dispositifs bioélectriques et médicaux.

Une large utilisation commerciale de cette méthode est possible dans le développement de matériaux semi-conducteurs pour les dispositifs d'observation nocturne, dans la production de structures épitaxiales à l'échelle nanométrique, dans l'utilisation de la technologie d'obtention de couches épitaxiales pour les zones de base des transistors haute tension.

Afin d'obtenir des hétérostructures d'une épaisseur établie avec un profil d'alliage établi, l'agrandissement épitaxial dans un appareil à vide poussé est nécessaire.

Le développement de tels appareils vise à créer une "centrale électrique".